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R1越小，Q值越高。換句話說，Q值高的晶體，在每一個(gè)振蕩周期中損失的能量更少。

在工程層面，高Q值表示：

    - 振蕩頻率更穩(wěn)定；

    - 對(duì)溫度、電源和外界擾動(dòng)更不敏感；

    - 長期老化速率更低。

為了驗(yàn)證上述關(guān)于Q值與能量損耗之間關(guān)系的分析，我們對(duì)實(shí)際量產(chǎn)晶體進(jìn)行了測(cè)試。以KOAN無源晶體KX32(3.2×2.5mm封裝)、8MHz為例，在相同測(cè)試條件下對(duì)10顆樣品進(jìn)行測(cè)量，其實(shí)測(cè)品質(zhì)因數(shù)Q值主要分布在44k至55k的區(qū)間。與此同時(shí)，對(duì)應(yīng)的諧振電阻RR維持在數(shù)百歐姆量級(jí)，表明該晶體在小型化封裝條件下仍具備較低的等效損耗。該結(jié)果也從實(shí)測(cè)角度印證了：較低的諧振電阻是獲得高Q值的重要前提。

晶體在規(guī)格書中標(biāo)注的Q值通常是在理想測(cè)試條件下測(cè)出來的。當(dāng)晶體被接入實(shí)際振蕩器電路后，放大器輸入損耗、負(fù)載電容以及PCB寄生參數(shù)都會(huì)引入額外的能量損耗。此時(shí)，晶體表現(xiàn)出的等效品質(zhì)因數(shù)通常會(huì)明顯下降，這一狀態(tài)下的Q值常被稱為在線Q值。系統(tǒng)性能的好壞，取決的正是這個(gè)在線Q值，而不是晶體Q值。

在工程實(shí)踐中，經(jīng)常會(huì)遇到以下權(quán)衡：

在選型時(shí)，凱擎小妹建議應(yīng)優(yōu)先確認(rèn)MCU或振蕩器芯片對(duì)負(fù)載電容的推薦范圍，再結(jié)合系統(tǒng)對(duì)穩(wěn)定性和可調(diào)性的要求進(jìn)行取舍。