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負(fù)電阻測量的方法是在晶體一端串聯(lián)一個測試電阻Rtest(建議使用低感抗電阻)，逐步增加阻值，直到振蕩剛好停止。

負(fù)電阻 ≈ Rtest + 晶體 RL

該數(shù)值反映了振蕩電路的實(shí)際負(fù)阻能力。這種方法是評估MCU內(nèi)部振蕩能力的常用手段。