發(fā)布時(shí)間：2022-04-20 
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本篇KOAN凱擎小妹將逐一講解無(wú)源晶振測(cè)試報(bào)告中的電性能參數(shù)含義。下圖為KOAN諧振器7050, 8MHz的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)報(bào)告：
1. C0&C1
C0靜態(tài)電容：晶體兩引腳之間的電容;
C1動(dòng)態(tài)電容：表征振動(dòng)能力，兩者與晶片電極面積和頻率大小成正比。
2. RR&Q
RR動(dòng)態(tài)等效串聯(lián)電阻(能耗)取決于晶體內(nèi)部摩擦、電極、支架等機(jī)械性振動(dòng)時(shí)的損失，以及周?chē)h(huán)境條件等的影響損失。
RR與Q值（品質(zhì)因數(shù)）成反比，Q值由生長(zhǎng)水晶料品質(zhì)決定，越高，固有頻率越穩(wěn)定。L1動(dòng)態(tài)等效串聯(lián)電感，表征振動(dòng)質(zhì)量，和頻率大小成反比。
RL晶體加負(fù)載電容的諧振阻抗。根據(jù)阻抗大小，可以評(píng)估振蕩電路設(shè)計(jì)振蕩寬限，滿足振蕩電路的振幅條件和激勵(lì)功率等級(jí)。
評(píng)估晶振品質(zhì)要素：Q值越高越好；RR越小越好，批量一致性要好。
3. FR&FL
晶體的串聯(lián)諧振頻率FR: 晶體本身固有的特性：
負(fù)載頻率(調(diào)制頻差）FL：在某一負(fù)載下的諧振頻率，高于FR。
調(diào)整頻率：指常溫25℃和標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載電容條件下的振蕩頻率；
調(diào)整頻差：一定負(fù)載電容的晶體頻率公差（加工誤差）。
評(píng)估晶振品質(zhì)要素：?jiǎn)蝹€(gè)誤差越小越好，批量一致性越高越好。
4. TS
TS值是負(fù)載電容每變化1pF時(shí)FL的變化量(單位ppm/pF)。KOAN晶振建議您根據(jù)實(shí)際電路頻率高低誤差大小，判斷外接匹配電容多大合適。
5. I&PWR
電流I: 晶體在諧振時(shí)，流過(guò)晶體的電流值，RR越大電流越小。
激勵(lì)功率PWR：實(shí)際跨在晶體上的功率?？梢愿鶕?jù)其大小評(píng)估激勵(lì)功率等級(jí)和匹配相應(yīng)的限流電阻。
6. DLD2
不同激勵(lì)功率下的最大與最小阻抗差值。激勵(lì)功率變化引起的阻抗變化，由殘留應(yīng)力和制造污染造成，越小越好。
7. CL
CL是電路中跨接晶體兩端的總的有效電容（晶振外接的匹配電容是其一部分），主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻，與晶體一起決定振蕩器電路的工作頻率，通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容，就可以將振蕩器的工作頻率微調(diào)到標(biāo)稱值。晶體小型化發(fā)展導(dǎo)致C0變小，相應(yīng)CL變低。
Cs為晶體兩個(gè)管腳間的寄生電容；
Cd表示晶體振蕩電路輸出管腳到地的總電容，包括PCB走線電容、芯片管腳寄生電容、外加匹配電容CL2；
Cg表示晶體振蕩電路輸入管腳到地的總電容，包括PCB走線電容、芯片管腳寄生電容、外加匹配電容CL1。
8. 溫度頻差/溫度穩(wěn)定性
溫度頻差是在一定溫度變化范圍內(nèi)的頻率變化量。凱擎小妹建議您選擇KOAN晶振時(shí)，可根據(jù)產(chǎn)品使用溫度環(huán)境，和最大頻率變化容忍度，提出質(zhì)量等級(jí)要求。
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