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在選購無源晶振時，經(jīng)常會被問到：“您需要多少pF的晶振?” 這里的pF是無源晶振負(fù)載電容值的單位。電容的大小影響無源晶振的起振時間、頻率穩(wěn)定度等。

不同于振蕩器，諧振器需要匹配外部諧振電路才可以輸出信號，自身無法振蕩。在選擇晶體的負(fù)載電容時，我們要盡量權(quán)衡能量損耗和頻率的穩(wěn)定性。同一封裝尺寸的晶體，負(fù)載越小，能耗越低。

無源晶振常用的負(fù)載電容：

• kHz晶體：6，7，9，12.5pF

• MHz晶體：8，9，12，15，18，20pF

根據(jù)負(fù)載電容選擇匹配電容C1和C2, 通常C1=C2: 

• 當(dāng)負(fù)載電容CL=12.5pF，建議外接電容C1=C2=15~18pF

• 當(dāng)負(fù)載電容CL=9pF，建議外接電容C1=C2=12pF

雜散電容Cstray的值一般為4~6pF。雜散電容可能對無源晶振的輸出頻率精度及穩(wěn)定性造成不確定性影響。一般情況下，雜散電容會因電路板的復(fù)雜程度及/或布線設(shè)計的不合理性而增加。

如果負(fù)載電容CL很大，靜態(tài)電容C0的改變對頻率變化的影響很小，頻率更加穩(wěn)定。所以負(fù)載高，遠(yuǎn)端相位噪聲好；若數(shù)過大，則很難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，晶振不容易起振。相反，如果負(fù)載電容CL很小，靜電容C0的微小變化會造成頻率的明顯變化。近端相位噪聲好，容易調(diào)整頻率，晶振容易起振。

KOAN晶振公司配備了E5052B信號分析儀器(測量相位噪聲和抖動)、S&A280B、S&A250B測試儀器，以及高低溫箱，抗沖擊試驗設(shè)備。我們能夠檢測在溫度、負(fù)載和功率電壓變化條件下的頻率穩(wěn)定性。