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激勵(lì)功率的變化會(huì)引起晶體頻率和諧振阻抗的變化，S&A250B測(cè)試數(shù)據(jù)中的DLD2指的是：不同激勵(lì)電平下的負(fù)載諧振電阻的最大值與最小值的差值，值越小越好。

如果激勵(lì)功率過大可能破壞晶體的內(nèi)部機(jī)理，引起振蕩頻率異常、穩(wěn)定度下降、頻率失真、晶片破損等現(xiàn)象，更為嚴(yán)重的導(dǎo)致電極受損。在電路設(shè)計(jì)時(shí)，KOAN小妹建議您確認(rèn)所使用的激勵(lì)等級(jí)絕對(duì)不超過最大激勵(lì)等級(jí)。如果激勵(lì)功率過低，也會(huì)帶來(lái)DLD問題或者不起振。

除電路設(shè)計(jì)的因素，晶振制作過程中殘留應(yīng)力和制造污染也會(huì)造成DLD2值高。《晶振的制作過程》中，第七步“晶振焊封”中：無(wú)源諧振器真空密封/充氮?dú)?；有源晶振還需要加入芯片，用金線與底座各引腳連接，最后用真空密封/充氮?dú)狻８鄡?nèi)容：《無(wú)源和有源晶振的區(qū)別和辨別方法》

在沒有真空的情況下，晶振內(nèi)部存有少量水蒸氣，在低溫環(huán)境下會(huì)凝結(jié)成水滴附著于晶片表面。晶振內(nèi)部充氮?dú)鈨?yōu)于僅抽真空。氮?dú)馐欠乐箖?nèi)部金屬氧化，例如電極等，以進(jìn)一步提升晶振的穩(wěn)定性。

晶振頻率穩(wěn)定是振蕩電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)。振蕩電路設(shè)計(jì)中需要考慮的6大因素：